Chercheur postdoctoral en épitaxie par jets moléculaires - Palaiseau, France - CNRS

Description

Informations générales

Intitulé de l'offre : Chercheur postdoctoral en épitaxie par jets moléculaires (H/F)
Référence : UMR9001-ULFGEN-003
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : jeudi 16 mai 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 septembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Salaire brut mensuel entre € et €
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
Section(s) CN : Matière condensée : structures et propriétés électroniques

Missions

Le·post-doctorant sera impliqué dans le développement de gaz d'électrons bidimensionnels à haute mobilité en étroite collaboration avec de nombreuses activités mésoscopiques (statistiques anyoniques, physique de la charge Kondo, conductivité thermique et capacité calorifique, , ainsi qu'avec l'épitaxie de nouveaux matériaux topologiques pour des études mésoscopiques.

Activités

Epitaxie par jets moléculaires des hétérostructures GaAs/AlGaAs.
- Développement de gaz d'électrons bidimensionnels dans les puits quantiques d'InAs.
- Installation et démarrage du nouveau cluster MBE semi-conducteurs III-V / métaux.

Compétences

Doctorat en physique expérimentale de la matière condensée.
- Expérience en épitaxie par jets moléculaires et intérêt pour la physique mésoscopique ou vice versa.
- Un bon dossier de publications (y compris des preprints).

Contexte de travail

Le Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N) est une unité mixte de recherche du CNRS et de l'Université Paris Saclay et de l'Université Paris Cité. Le C2N, composé d'environ 410 personnels, est situé en Ile de France à Palaiseau (91) au cœur du campus Paris Saclay. Le C2N est composé de quatre départements scientifiques (photonique, matériaux, nanoélectronique, microsystèmes & nanobiofluidique).

Notre équipe scientifique a contribué au fil des ans à fournir des échantillons de haute qualité pour un grand nombre de recherches importantes en physique mésoscopique. L'épitaxie est actuellement réalisée à l'aide d'un réacteur d'épitaxie par jets moléculaires (MBE) pour la croissance à haute mobilité. Nous sommes également en train d'acquérir un nouveau cluster MBE pour les matériaux topologiques, composé d'une chambre pour les matériaux III-V de haute pureté (As, Al, Ga, In, Sb, Bi, couplée à une seconde chambre pour les métaux supraconducteurs/ferromagnétiques (Al, Nb, ... / Fe, Co, MgO, .

L'équipe "Epitaxial growth of 2DEGS: III-V heterostructures" est constitué d'un chercheur CNRS et d'un ingénieur de recherche.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Travail dans une salle blanche.